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SSD專用高低溫試驗箱
?SSD專用高低溫試驗箱

?腔內(nèi)循環(huán)確保老化板上運行中的顆粒表面積溫度與腔體溫度<±5℃  (芯片溫度以芯片本身傳感器采集溫度 為參考)

4.1.8  升溫時間:  常溫~125℃  ≤20min;

4.1.9  水冷式恒溫、降溫,  恒溫大功率 BI 產(chǎn)品,  降溫迅速,  20 分鐘內(nèi) 125 度降至 60 度。

(需要接入廠務水)  

4.1.10  水流量每小時:  1.3t/h

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BIT高溫老化試驗箱

?腔內(nèi)循環(huán)確保老化板上運行中的顆粒表面積溫度與腔體溫度<±5℃  (芯片溫度以芯片本身傳感器采集溫度 為參考)

4.1.8  升溫時間:  常溫~125℃  ≤20min;

4.1.9  水冷式恒溫、降溫,  恒溫大功率 BI 產(chǎn)品,  降溫迅速,  20 分鐘內(nèi) 125 度降至 60 度。

(需要接入廠務水)  。

4.1.10  水流量每小時:  1.3t/h

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EMMC快速溫變應力試驗箱

?腔內(nèi)循環(huán)確保老化板上運行中的顆粒表面積溫度與腔體溫度<±5℃  (芯片溫度以芯片本身傳感器采集溫度 為參考)

4.1.8  升溫時間:  常溫~125℃  ≤20min;

4.1.9  水冷式恒溫、降溫,  恒溫大功率 BI 產(chǎn)品,  降溫迅速,  20 分鐘內(nèi) 125 度降至 60 度。

(需要接入廠務水)  

4.1.10  水流量每小時:  1.3t/h

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高低溫SATA老化柜

?性能指標符合以下標準:

GB/T 2423.22-2012  環(huán)境試驗 第 2 部分:  試驗方法 試驗 N:  溫度變化;

GB/T 2423.2-2008  電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第 2 部分:  試驗方法 試驗 B:  高溫。

4.1.14  備需支持 SECS/GEM 協(xié)議

4.1.15 MTBA  (平均故障間隔周期)

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高低溫PCIE老化柜

?性能指標符合以下標準:

GB/T 2423.22-2012  環(huán)境試驗 第 2 部分:  試驗方法 試驗 N:  溫度變化;

GB/T 2423.2-2008  電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第 2 部分:  試驗方法 試驗 B:  高溫。

4.1.14  備需支持 SECS/GEM 協(xié)議

4.1.15 MTBA  (平均故障間隔周期)

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SSD固態(tài)硬盤快速溫變測試機
?SSD固態(tài)硬盤快速溫變測試機,SSD固態(tài)環(huán)境測試箱,SSD快速溫變試驗箱,ssd...

SSD高低溫老化試驗箱

?性能指標符合以下標準:

GB/T 2423.22-2012  環(huán)境試驗 第 2 部分:  試驗方法 試驗 N:  溫度變化;

GB/T 2423.2-2008  電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第 2 部分:  試驗方法 試驗 B:  高溫。

4.1.14  備需支持 SECS/GEM 協(xié)議

4.1.15 MTBA  (平均故障間隔周期)

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